Características para el LMV321-N
- Para V+ = 5 V and V− = 0 V, unless otherwise specified
- LMV321-N, LMV358-N y LMV324-N están disponibles en las versiones automotrices AEC-Q100 grado 1 y grado 3
- Rendimiento garantizado de 2,7 V y 5 V
- Sin distorsión de crossover
- Rango de temperatura industrial -40°C a +125°C
- Producto de ancho de banda de ganancia 1 MHz
- Baja corriente de suministro
- LMV321-N 130 µA
- LMV358-N 210 µA
- LMV324-N 410 µA
- Swing de salida de riel a riel a 10 k Ω V+− 10 mV and V−+ 65 mV
- VCM range −0.2 V to V+− 0.8 V
Descripción del LMV321-N
Los LMV358-N y LMV324-N son versiones de baja tensión (2,7 V a 5,5 V) de los amplificadores operacionales duales y cuádruple LM358 y LM324 (5 V a 30 V). El LMV321-N es la versión de canal único. Los LMV321-N, LMV358-N y LMV324-N son las soluciones más rentables para aplicaciones donde el funcionamiento de bajo voltaje, la eficiencia espacial y el bajo precio son importantes. Ofrecen especificaciones que cumplen o superan las familiares LM358 y LM324. Los LMV321-N, LMV358-N y LMV324-N tienen capacidad de oscilación de salida de riel a riel y el rango de voltaje de modo común de entrada incluye tierra. Todos exhiben una excelente relación velocidad a potencia, logrando 1 MHz de ancho de banda y una velocidad de giro de 1 V/s con una corriente de suministro baja.
El LMV321-N está disponible en el SC70 de 5 pines que ahorra espacio, que es aproximadamente la mitad del tamaño del SOT23 de 5 pines. El pequeño paquete ahorra espacio en las placas de PC y permite el diseño de pequeños dispositivos electrónicos portátiles. También permite al diseñador colocar el dispositivo más cerca de la fuente de señal para reducir la captación de ruido y aumentar la integridad de la señal.
Los chips están construidos con el avanzado proceso BiCMOS submicrónico de puerta de silicio de Texas Instruments. Los LMV321-N/LMV358-N/LMV324-N tienen etapas de entrada y salida bipolares para mejorar el rendimiento de ruido y una mayor corriente de salida.